买卖IC网 >> 产品目录 >> Si4101DY-T1-GE3 MOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

Si4101DY-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay Semiconductors
描述：MOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET -30V .006Ohm@10V 25.7A P-Ch G-III
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制造商 Vishay Semiconductors
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 - 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 - 25.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.008 Ohms
配置
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 Si4101DY-T1-GE3
SI-4102
SI-4102A
SI4102DY
SI4102DY-T1-E3
SI4102DY-T1-GE3
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  • Si4101DY-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价